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微电子学院的重要研究结果发表在先进材料

最近,杨翳明微电子学的研究小组从学校,大连理工大学,发表了他们的研究结果在CsPbI阴离子交换驱动相变3外延钙钛矿制造纳米线垂直以学术论文的形式在国际顶级期刊先进材料。结果是编辑器的高度评价这些发现推进外延卤化物钙钛矿研究的新兴领域。”


https://news.dlut.edu.cn/__local/6/74/D9/52F241CAA86189034997FDE36F0_52B9F702_5F7F7.jpg

杨教授为首的翳明,李静和徐娇同样这项工作。这项工作是由中国国家自然科学基金资助(批准号。11804042,11804042,12074054)。

文摘:

阴离子交换在金属卤化物钙钛矿的能带隙工程提供了一个独特的途径制造低成本光电和光电垂直。然而,它仍然是具有挑战性的实现健壮和锋利的钙钛矿垂直,由于自发阴离子相互扩散在异质结的3 d钙钛矿。,结果表明,阴离子行为1 d钙钛矿有根本的不同,阴离子交换可以随时开车在CsPbI3 indirect-to-direct能带相变纳米线(NWs)和大大降低相变温度。此外,相变产生的异质结在本质上是外延的,和它的化学成分可以精确控制postannealing。相变动力学的进一步研究揭示了一个threshold-dominating阴离子交换机制在这些1 d NWs而不是gradient-dominating机制3 d系统。结果提供了重要的见解在卤化物离子行为钙钛矿,有利于应用在太阳能电池、发光二极管(led),和其他半导体器件。

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